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Un modello geometrico generalizzato di formazione etch-pit in tre dimensioni è presentata per le particelle nucleari entrare solidi isotropi ad angoli arbitrari di incidenza. Con questo modello è possibile calcolare i rapporti tra tutti i parametri delle particelle (Z = carica, M = massa, R = gamma, θ = angolo di incidenza) e l'incisione o la traccia del parametro (h = strato rivelatore rimosso, L = lunghezza della traccia, d = Diametro pista, profilo etch-pit e contorno) per i tassi di incisione dei brani che variano monotonicamente lungo la traiettoria delle particelle. Utilizzando un algoritmo informatico, i calcoli Portafogli Louis Vuitton Prezzi sono stati eseguiti per studiare problemi di identificazione di nuclei di Z = 1-8 registrate in una pila di lastre di policarbonato. Per questi calcoli il rapporto tra velocità di attacco vs curve di gamma residui sono stati parametrizzata con una forma di u0026 lt; img height = border '19' = '0' style = 'vertical-align: bottom' width = '248' alt = '' title = '' src = 'http://origin-ars.els-cdn.com/content/image/1-s2.0-0029554X7790444X-si1.gif' u0026 gt; che non comporta l'esistenza di una soglia di registrazione traccia. Particolare attenzione è stata dedicata allo studio dell'evoluzione dei formati etch-pit per valori relativamente elevati di h. In questo caso, i dati sono presentati per la potenza di carica e Louis Vuitton Sito Ufficiale Uomo isotopi risolvere dei metodi di identificazione basate sul rapporto L (R) od (R). I calcoli sono stati effettuati anche per mostrare l'effetto degli orientamenti relativi (parallele e opposte) tra le direzioni di pista incisione e la velocità delle particelle sull'evoluzione etch-pit. Questi studi proposti nuovi metodi di identificazione basati sulla determinazione delle curve L (parallele) vs L (fronte) ed (parallela) vs d (fronte), rispettivamente.
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